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IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies


DS_IMCQ120R053M2H_v1.00_en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
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Technische Details IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 234W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMCQ120R053M2HXTMA1 IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMCQ120R053M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
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IMCQ120R053M2HXTMA1 IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies DS_IMCQ120R053M2H_v1.00_en.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
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IMCQ120R053M2HXTMA1 IMCQ120R053M2HXTMA1 INFINEON Infineon-IMCQ120R053M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fc4084249 Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Verlustleistung: 234W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
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IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon-IMCQ120R053M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194da4fc4084249
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
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