Technische Details IMCQ120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMCQ120R053M2HXTMA1 nach Preis ab 7.81 EUR bis 22.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMCQ120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMCQ120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP |
auf Bestellung 1178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMCQ120R053M2HXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.28 EUR |
| 10+ | 11.83 EUR |
| 100+ | 9.87 EUR |
| 500+ | 8.79 EUR |
| 750+ | 7.81 EUR |
| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
Description: SICFET N-CH 1200V 43A 22PWRBSOP
auf Bestellung 1178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 17.36 EUR |
| 10+ | 11.88 EUR |
| 100+ | 8.79 EUR |
| IMCQ120R053M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Dauer-Drainstrom Id: 43A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMCQ120R053M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 1.2 kV, 0.0526 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
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Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0526ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 12+ | 22.24 EUR |
| 13+ | 18 EUR |
| 16+ | 14.18 EUR |
| 50+ | 13.01 EUR |
| 100+ | 11.83 EUR |
| 250+ | 11.59 EUR |