IMD10AMT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
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Technische Details IMD10AMT1G onsemi
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 285mW, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IMD10AMT1G nach Preis ab 0.11 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IMD10AMT1G | onsemi |
Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR |
auf Bestellung 6289 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMD10AMT1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 285mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-74R Part Status: Active |
auf Bestellung 28593 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMD10AMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 285mW Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IMD10AMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 285mW Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 61 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IMD10AMT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R |
auf Bestellung 5959 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMD10AMT1G |
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Hersteller: onsemi
Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
auf Bestellung 6289 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.27 EUR |
| 3000+ | 0.24 EUR |
| 6000+ | 0.21 EUR |
| IMD10AMT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
auf Bestellung 28593 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 1.09 EUR |
| 32+ | 0.67 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.32 EUR |
| 1000+ | 0.29 EUR |
| IMD10AMT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 285mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMD10AMT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: ONSEMI - IMD10AMT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 500 mA, 130 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 130ohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMD10AMT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 500mA 285mW 6-Pin SC-74R T/R
auf Bestellung 5959 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 488+ | 0.36 EUR |
| 639+ | 0.26 EUR |
| 660+ | 0.25 EUR |
| 1128+ | 0.14 EUR |
| 1139+ | 0.13 EUR |
| 1178+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |