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IMD10AT108

IMD10AT108 Rohm Semiconductor

datasheet?p=IMD10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
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Technische Details IMD10AT108 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SMT6, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMD10AT108 IMD10AT108 ROHM Semiconductor imd10a-1872760.pdf Digital Transistors NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
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IMD10AT108 IMD10AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMD10A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms, 100Ohms
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 500mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
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