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IMD2AT108

IMD2AT108

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Produktcode: 107838
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMD2AT108 IMD2AT108 Rohm Semiconductor imd2at108-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
690+0.25 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 690 Stücke
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IMD2AT108 IMD2AT108 Rohm Semiconductor imd2at108-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 2289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
640+0.54 EUR
1000+0.27 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 640 Stücke
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IMD2AT108 IMD2AT108 Rohm Semiconductor imd2at108-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.88 EUR
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IMD2AT108 IMD2AT108 ROHM Semiconductor datasheet?p=IMD2A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA SOT-457
auf Bestellung 6953 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.57 EUR
100+0.37 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IMD2AT108 IMD2AT108 Rohm Semiconductor datasheet?p=IMD2A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
35+0.61 EUR
100+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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IMD2AT108 IMD2AT108 ROHM imd2at108-e.pdf Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
338+0.69 EUR
519+0.42 EUR
685+0.31 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
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IMD2AT108 IMD2AT108 Rohm Semiconductor imd2at108-e.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 317 Stücke
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IMD2A T108 ROHM SOT163
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IMD2AT108
Hersteller: Rohm Semiconductor
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Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SMT6
Supplier Device Package: SMT6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
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IMD2AT108
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - IMD2AT108 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: IMD2A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SMT T/R
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IMD2A T108
Hersteller: ROHM
SOT163
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