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IMDQ75R040M1HXUMA1

IMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMDQ75R040M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Technische Details IMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V, Power Dissipation (Max): 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R040M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae16d7a37e64 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
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IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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12+21.07 EUR
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IMDQ75R040M1HXUMA1 IMDQ75R040M1HXUMA1 INFINEON 4127744.pdf Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IMDQ75R040M1HXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 16.6A, 20V
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Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1135 pF @ 500 V
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IMDQ75R040M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
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Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IMDQ75R040M1HXUMA1 4127744.pdf
IMDQ75R040M1HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMDQ75R040M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, HDSOP
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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