IMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 9.91 EUR |
| 10+ | 8.89 EUR |
| 25+ | 8.78 EUR |
| 100+ | 7.99 EUR |
| 250+ | 7.76 EUR |
| 750+ | 6.58 EUR |
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Technische Details IMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMDQ75R060M1HXUMA1 nach Preis ab 7.36 EUR bis 11.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IMDQ75R060M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: IMDQ75R060M1HXUMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V |
auf Bestellung 510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMDQ75R060M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMDQ75R060M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 750 V, 0.055 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMDQ75R060M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IMDQ75R060M1HXUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 11.1A, 20V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +20V, -2V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V |
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