IMLT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.71 EUR |
| 10+ | 6.78 EUR |
| 100+ | 6.22 EUR |
| 500+ | 5.53 EUR |
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Technische Details IMLT40R045M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMLT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 150W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm.
Weitere Produktangebote IMLT40R045M2HXTMA1 nach Preis ab 5.72 EUR bis 15.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMLT40R045M2HXTMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IMLT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HDSOPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMLT40R045M2HXTMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HDSOP
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
Description: INFINEON - IMLT40R045M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 400 V, 0.0562 ohm, HDSOP
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0562ohm
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 15.61 EUR |
| 30+ | 7.75 EUR |
| 100+ | 6.56 EUR |
| 500+ | 5.83 EUR |
| 1000+ | 5.72 EUR |