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IMLT65R015M2HXTMA1

IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON

4265864.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
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isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
auf Bestellung 948 Stücke:
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Technische Details IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 142A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 600W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm.

Weitere Produktangebote IMLT65R015M2HXTMA1 nach Preis ab 17.48 EUR bis 36.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMLT65R015M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt65r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
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1+29.19 EUR
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IMLT65R015M2HXTMA1 IMLT65R015M2HXTMA1 INFINEON 4265864.pdf Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 142A
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
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8+29.61 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 142A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 64.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2792 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IMLT65R015M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.0132 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 600W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
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