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IMLT65R020M2HXTMA1

IMLT65R020M2HXTMA1 INFINEON

4265865.pdf
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+22.98 EUR
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Technische Details IMLT65R020M2HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 454W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMLT65R020M2HXTMA1 nach Preis ab 13.04 EUR bis 33.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon_IMLT65R020M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1733 Stücke:
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1+24.38 EUR
10+17.01 EUR
100+13.8 EUR
1000+13.04 EUR
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IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imlt65r020m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
auf Bestellung 512 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+27.64 EUR
10+19.4 EUR
100+16.15 EUR
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IMLT65R020M2HXTMA1 IMLT65R020M2HXTMA1 INFINEON 4265865.pdf Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.21 EUR
9+27.87 EUR
10+22.98 EUR
50+21.82 EUR
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250+20.27 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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100+13.8 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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