IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 19.15 EUR |
| 10+ | 15.59 EUR |
| 100+ | 12.99 EUR |
| 500+ | 11.58 EUR |
| 1000+ | 9.84 EUR |
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Technische Details IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 107A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 454W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMLT65R020M2HXTMA1 nach Preis ab 11.62 EUR bis 19.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IMLT65R020M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V |
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IMLT65R020M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IMLT65R020M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMLT65R020M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 107A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 454W Anzahl der Pins: 16Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 279 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMLT65R020M2HXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 650V 107A HDSOP-16 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 46.9A, 18V Power Dissipation (Max): 454W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V |
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