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IMLT65R040M2HXTMA1

IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon-IMLT65R040M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8942f0856 Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
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Technische Details IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 268W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote IMLT65R040M2HXTMA1 nach Preis ab 8.92 EUR bis 15.22 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IMLT65R040M2HXTMA1 IMLT65R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMLT65R040M2H_DataSheet_v02_00_EN-3454215.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMLT65R040M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4265866.pdf Description: INFINEON - IMLT65R040M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 57 A, 650 V, 0.036 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IMLT65R040M2HXTMA1 IMLT65R040M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMLT65R040M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8942f0856 Description: SICFET N-CH 650V 57A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 22.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
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