IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 13.92 EUR |
| 10+ | 11.93 EUR |
| 25+ | 10.82 EUR |
| 100+ | 9.94 EUR |
| 250+ | 9.35 EUR |
| 500+ | 8.76 EUR |
| 1000+ | 7.88 EUR |
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Technische Details IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IMLT65R050M2HXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMLT65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.046 ohm, HDSOPtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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