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IMLT65R060M2HXTMA1

IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies


infineon-imlt65r060m2h-datasheet-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 40A HDSOP-16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
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Technische Details IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IMLT65R060M2HXTMA1 nach Preis ab 5.42 EUR bis 11.81 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IMLT65R060M2HXTMA1 IMLT65R060M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMLT65R060M2H_DataSheet_v02_00_EN-3454262.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMLT65R060M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4265868.pdf Description: INFINEON - IMLT65R060M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 40 A, 650 V, 0.055 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 220 Stücke:
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IMLT65R060M2HXTMA1 IMLT65R060M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imlt65r060m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 40A HDSOP-16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 15.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.1mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 669 pF @ 400 V
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