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IMT40R011M2HXTMA1

IMT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies


Infineon_IMT40R011M2H_DataSheet_v02_00_EN-3483353.pdf Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC-MOS
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Technische Details IMT40R011M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 144A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMT40R011M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f581c74973398 Description: SIC-MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
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IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 144A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1914 Stücke:
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IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 Hersteller : INFINEON 4384414.pdf Description: INFINEON - IMT40R011M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMT40R011M2HXTMA1 IMT40R011M2HXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMT40R011M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f581c74973398 Description: SIC-MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.4A (Ta), 144A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 37.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 429W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 200 V
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