IMT65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Power Dissipation (Max): 681W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V
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Technische Details IMT65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 168A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 681W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IMT65R010M2HXUMA1 nach Preis ab 21.21 EUR bis 34.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IMT65R010M2HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 1613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMT65R010M2HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 681W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT65R010M2HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R010M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 168A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 681W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1231 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT65R010M2HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 168A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 92.1A, 20V Power Dissipation (Max): 681W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 18.7mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4001 pF @ 400 V |
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