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IMT65R020M2HXUMA1

IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMT65R020M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e05df523c49
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
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Technische Details IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 105A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 440W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.

Weitere Produktangebote IMT65R020M2HXUMA1 nach Preis ab 14.99 EUR bis 34.66 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT65R020M2HXUMA1 IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R020M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e05df523c49 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
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IMT65R020M2HXUMA1 IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R020M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e05df523c49 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT65R020M2HXUMA1 IMT65R020M2HXUMA1 INFINEON 4503008.pdf Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.41 EUR
11+20.86 EUR
50+19.12 EUR
100+17.37 EUR
250+17.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IMT65R020M2HXUMA1 IMT65R020M2HXUMA1 INFINEON 4503008.pdf Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.66 EUR
9+27.41 EUR
11+20.86 EUR
50+19.12 EUR
100+17.37 EUR
250+17.03 EUR
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IMT65R020M2HXUMA1 Infineon-IMT65R020M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e05df523c49
IMT65R020M2HXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 440W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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IMT65R020M2HXUMA1 Infineon-IMT65R020M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e05df523c49
IMT65R020M2HXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+27.14 EUR
10+15.87 EUR
1000+14.99 EUR
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IMT65R020M2HXUMA1 4503008.pdf
IMT65R020M2HXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+27.41 EUR
11+20.86 EUR
50+19.12 EUR
100+17.37 EUR
250+17.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R020M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 650 V, 0.018 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 440W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+34.66 EUR
9+27.41 EUR
11+20.86 EUR
50+19.12 EUR
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