IMT65R022M1HXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.27 EUR |
| 10+ | 16.37 EUR |
| 100+ | 12.48 EUR |
| 500+ | 12.42 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMT65R022M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IMT65R022M1HXUMA1 nach Preis ab 20.61 EUR bis 29.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R022M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
IMT65R022M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |