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IMT65R039M1HXUMA1

IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IMT65R039M1H_DataSheet_v02_01_EN-3159573.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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Technische Details IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 263W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON 3974512.pdf Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1750 Stücke:
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IMT65R039M1HXUMA1 IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON 3974512.pdf Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.74 EUR
12+19.59 EUR
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IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 61A; Idm: 122A; 263W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 122A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 41nC
auf Bestellung 4000 Stücke:
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2000+3.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IMT65R039M1HXUMA1 Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1
IMT65R039M1HXUMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R039M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
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Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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11+24.74 EUR
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IMT65R039M1HXUMA1 Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 61A; Idm: 122A; 263W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 122A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 41nC
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