IMT65R048M1HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 16.63 EUR |
| 10+ | 11.9 EUR |
| 100+ | 8.91 EUR |
| 500+ | 8.75 EUR |
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Technische Details IMT65R048M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IMT65R048M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOFtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IMT65R048M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R048M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |