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IMT65R050M2HXUMA1

IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
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Technische Details IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 48.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 237W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R050M2H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 INFINEON 4503012.pdf Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
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isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 470 Stücke:
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23+10.35 EUR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
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Verlustleistung: 237W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Description: INFINEON - IMT65R050M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 48.1 A, 650 V, 0.046 ohm, HSOF
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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