IMT65R057M1HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 15.68 EUR |
| 10+ | 13.45 EUR |
| 25+ | 12.2 EUR |
| 100+ | 11.19 EUR |
| 250+ | 10.54 EUR |
| 500+ | 9.89 EUR |
| 1000+ | 9.36 EUR |
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Technische Details IMT65R057M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 203W, Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IMT65R057M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOFtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMT65R057M1HXUMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMT65R057M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 44 A, 650 V, 0.057 ohm, HSOF tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: - euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMT65R057M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 44A 9-Pin(8+Tab) HSOF |
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