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IMT65R107M1HXUMA1

IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Technische Details IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 138W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm.

Weitere Produktangebote IMT65R107M1HXUMA1 nach Preis ab 4.97 EUR bis 14.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
auf Bestellung 2211 Stücke:
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IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon_IMT65R107M1H_DataSheet_v02_00_EN-3159516.pdf MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 371 Stücke:
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1+12.67 EUR
10+10.86 EUR
25+9.87 EUR
100+9.04 EUR
250+8.52 EUR
500+7.98 EUR
1000+7.58 EUR
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IMT65R107M1HXUMA1 IMT65R107M1HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0 Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
auf Bestellung 1990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.32 EUR
26+8.94 EUR
100+5.94 EUR
500+5.33 EUR
1000+5.16 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IMT65R107M1HXUMA1 Infineon-IMT65R107M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f66b5d971d0
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R107M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 650 V, 0.141 ohm, HSOF
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Verlustleistung: 138W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.141ohm
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26+8.94 EUR
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