IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IMT65R107M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IMT65R107M1HXUMA1 nach Preis ab 5.16 EUR bis 10.65 EUR
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IMT65R107M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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IMT65R107M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET |
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