auf Bestellung 324 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 8.80 EUR |
| 10+ | 6.42 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 500+ | 3.96 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMT65R163M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IMT65R163M1HXUMA1 nach Preis ab 3.69 EUR bis 9.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMT65R163M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
auf Bestellung 1594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
| IMT65R163M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005716855 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
|
|
IMT65R163M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
Produkt ist nicht verfügbar |