IMT65R260M1HXUMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.78 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 3.19 EUR |
| 500+ | 2.78 EUR |
| 1000+ | 2.75 EUR |
| 2000+ | 2.53 EUR |
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Technische Details IMT65R260M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Weitere Produktangebote IMT65R260M1HXUMA1 nach Preis ab 2.92 EUR bis 7.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IMT65R260M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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| IMT65R260M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005716858 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMT65R260M1HXUMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
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