Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMTA65R050M2HXTMA1
IMTA65R050M2HXTMA1

IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies

Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+13.89 EUR
10+8.95 EUR
100+7.02 EUR
500+6.34 EUR
1000+5.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LHSOF, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Weitere Produktangebote IMTA65R050M2HXTMA1 nach Preis ab 6.49 EUR bis 14.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8a7a9085a Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
10+9.56 EUR
100+6.96 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON 4265862.pdf Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1 IMTA65R050M2HXTMA1 INFINEON 4265862.pdf Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5e8a7a9085a
IMTA65R050M2HXTMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+14.14 EUR
10+9.56 EUR
100+6.96 EUR
500+6.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1 4265862.pdf
IMTA65R050M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMTA65R050M2HXTMA1 4265862.pdf
IMTA65R050M2HXTMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMTA65R050M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 650 V, 0.046 ohm, LHSOF
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+14.95 EUR
21+11.41 EUR
26+8.25 EUR
50+7.66 EUR
100+7.07 EUR
250+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH