IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V
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Technische Details IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IMW120R140M1HXKSA1 nach Preis ab 7.76 EUR bis 14.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IMW120R140M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IMW120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMW120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W; TO247 Kind of package: tube Mounting: THT Drain current: 13A On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Case: TO247 Drain-source voltage: 1.2kV |
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