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IMW120R220M1HXKSA1

IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_IMW120R220M1H_DataSheet_v02_02_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
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Technische Details IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw120r220m1h-datasheet-v02_02-en.pdf N-Channel SiC Trench MOSFET 1200V 13A TO-247-3
auf Bestellung 1920 Stücke:
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IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW120R220M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fe078366a0 Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
auf Bestellung 560 Stücke:
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2+11.3 EUR
30+6.44 EUR
120+5.38 EUR
510+4.64 EUR
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IMW120R220M1HXKSA1 IMW120R220M1HXKSA1 INFINEON 2830778.pdf Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.37 EUR
21+11.39 EUR
100+8.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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IMW120R220M1HXKSA1 infineon-imw120r220m1h-datasheet-v02_02-en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
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IMW120R220M1HXKSA1 2830778.pdf
IMW120R220M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW120R220M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 13 A, 1.2 kV, 0.22 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 229 Stücke:
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