IMW40R025M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 14.77 EUR |
| 10+ | 11.19 EUR |
| 100+ | 9.35 EUR |
| 480+ | 8.31 EUR |
| 1200+ | 7.41 EUR |
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Technische Details IMW40R025M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 195W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IMW40R025M2HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW40R025M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 65 A, 400 V, 0.0321 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 195W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0321ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 192 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |