IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 273W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Weitere Produktangebote IMW65R020M2HXKSA1 nach Preis ab 18.3 EUR bis 43.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETSupplier Device Package: PG-TO247-3-40 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW65R020M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 273W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R020M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 32.13 EUR |
| 30+ | 19.78 EUR |
| 60+ | 18.3 EUR |
| IMW65R020M2HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 273W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 43.23 EUR |
| 8+ | 32.44 EUR |
| 10+ | 22.81 EUR |
| 50+ | 22.36 EUR |
| 100+ | 21.9 EUR |