IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 23.57 EUR |
| 10+ | 21.00 EUR |
| 25+ | 15.68 EUR |
| 240+ | 15.66 EUR |
| 480+ | 14.40 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IMW65R020M2HXKSA1 nach Preis ab 15.74 EUR bis 27.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SILICON CARBIDE MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 46.9A, 20V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2038 pF @ 400 V |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R020M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 83 A, 650 V, 0.018 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 83A |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
| IMW65R020M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IMW65R020M2HXKSA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |