IMW65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMW65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 227W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Weitere Produktangebote IMW65R026M2HXKSA1 nach Preis ab 12.71 EUR bis 33.31 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 204 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 67200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IMW65R026M2HXKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V |
auf Bestellung 624 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 |
auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW65R026M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 64A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 227W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
auf Bestellung 212 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 204 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.72 EUR |
| IMW65R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 64A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 67200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 240+ | 14.28 EUR |
| IMW65R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
Description: IMW65R026M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
auf Bestellung 624 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 26.73 EUR |
| 30+ | 16.27 EUR |
| 60+ | 15.02 EUR |
| 120+ | 13.97 EUR |
| 510+ | 12.71 EUR |
| IMW65R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 26.83 EUR |
| 10+ | 15.1 EUR |
| 100+ | 14.79 EUR |
| IMW65R026M2HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 227W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: INFINEON - IMW65R026M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 33.31 EUR |
| 10+ | 24.18 EUR |
| 14+ | 16.06 EUR |
| 50+ | 15.9 EUR |
| 100+ | 15.72 EUR |