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IMW65R033M2HXKSA1

IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r033m2hdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 194W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm.

Weitere Produktangebote IMW65R033M2HXKSA1 nach Preis ab 6.24 EUR bis 28.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r033m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r033m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R033M2H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca501926b64fc70052c Description: IMW65R033M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
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IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon_imw65r033m2h_datasheet_en.pdf SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
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IMW65R033M2HXKSA1 IMW65R033M2HXKSA1 INFINEON 4421061.pdf Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 194W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
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11+21.25 EUR
15+14.73 EUR
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250+12.51 EUR
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Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
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Description: INFINEON - IMW65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 194W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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