IMW65R039M1HXKSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 46A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
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Technische Details IMW65R039M1HXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R039M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 176W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Weitere Produktangebote IMW65R039M1HXKSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): +20V, -2V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole |
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IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
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| IMW65R039M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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IMW65R039M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1393 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 7.5mA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Mindestbestellmenge: 240 Stücke
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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| IMW65R039M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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