Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMW65R050M2HXKSA1
IMW65R050M2HXKSA1

IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imw65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 227 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+9.26 EUR
50+7.47 EUR
200+7.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 153W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IMW65R050M2HXKSA1 nach Preis ab 5.95 EUR bis 18.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.4 EUR
19+8.94 EUR
25+6.84 EUR
50+6.39 EUR
100+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.4 EUR
19+9.14 EUR
25+7.1 EUR
50+6.75 EUR
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R050M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.24 EUR
10+8.29 EUR
100+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159870.pdf Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.99 EUR
16+15.43 EUR
17+13.07 EUR
50+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r050m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.05 EUR
30+10.61 EUR
120+8.97 EUR
510+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 infineon-imw65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.4 EUR
19+8.94 EUR
25+6.84 EUR
50+6.39 EUR
100+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 infineon-imw65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.4 EUR
19+9.14 EUR
25+7.1 EUR
50+6.75 EUR
100+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 Infineon_IMW65R050M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+14.24 EUR
10+8.29 EUR
100+7.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 4159870.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+17.99 EUR
16+15.43 EUR
17+13.07 EUR
50+9.53 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMW65R050M2HXKSA1 infineon-imw65r050m2h-datasheet-en.pdf
IMW65R050M2HXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+18.05 EUR
30+10.61 EUR
120+8.97 EUR
510+7.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH