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IMW65R050M2HXKSA1

IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r050m2hdatasheetv0100en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 153W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm.

Weitere Produktangebote IMW65R050M2HXKSA1 nach Preis ab 7.14 EUR bis 18.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r050m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r050m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r050m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r050m2hdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R050M2H_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159870.pdf Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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IMW65R050M2HXKSA1 IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r050m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
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2+18.02 EUR
30+10.59 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Description: INFINEON - IMW65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 153W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
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