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IMW65R057M1HXKSA1

IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimw65r057m1hdatasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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Technische Details IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimw65r057m1hdatasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMW65R057M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 INFINEON 3629236.pdf Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMW65R057M1HXKSA1 IMW65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMW65R057M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e1edcb63c82 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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IMW65R057M1HXKSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IMW65R057M1HXKSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Part Status: Active
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Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 16.7A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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