IMW65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 15.14 EUR |
| 10+ | 8.16 EUR |
| 100+ | 7.52 EUR |
| 480+ | 6.5 EUR |
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Technische Details IMW65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMW65R075M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26.6 A, 650 V, 0.095 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 111W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm.
Weitere Produktangebote IMW65R075M2HXKSA1 nach Preis ab 7.47 EUR bis 18.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMW65R075M2HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: IMW65R075M2HXKSA1Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-40 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V |
auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMW65R075M2HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMW65R075M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26.6 A, 650 V, 0.095 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 111W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMW65R075M2HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
Description: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 15.32 EUR |
| 30+ | 8.89 EUR |
| 60+ | 8.12 EUR |
| 120+ | 7.47 EUR |
| IMW65R075M2HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMW65R075M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26.6 A, 650 V, 0.095 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
Description: INFINEON - IMW65R075M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26.6 A, 650 V, 0.095 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
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Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.61 EUR |
| 23+ | 10.21 EUR |
| 100+ | 7.93 EUR |