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Technische Details IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMWH170R650M1XKSA1 nach Preis ab 6.04 EUR bis 10.58 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMWH170R650M1XKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IMWH170R650M1XKSA1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V Vgs (Max): 15V, 12V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V |
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IMWH170R650M1XKSA1 | Hersteller : INFINEON |
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