IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IMWH170R650M1XKSA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 337 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Vgs (Max): 15V, 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U04
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1.7mA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1.5A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.08 EUR |
| 30+ | 6.91 EUR |
| 120+ | 6.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMWH170R650M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMWH170R650M1XKSA1 nach Preis ab 5.32 EUR bis 12.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMWH170R650M1XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC DISCRETE |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IMWH170R650M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IMWH170R650M1XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC DISCRETE
SiC MOSFETs SIC DISCRETE
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.63 EUR |
| 10+ | 7.12 EUR |
| 100+ | 5.93 EUR |
| 480+ | 5.32 EUR |
| IMWH170R650M1XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMWH170R650M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 7.5 A, 1.7 kV, 0.58 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.82 EUR |
| 23+ | 10.35 EUR |
| 100+ | 8.12 EUR |