IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 60A, 18V
Power Dissipation (Max): 552W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 48mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 246 nC @ 18 V
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Technische Details IMYH200R012M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 552W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm.
Weitere Produktangebote IMYH200R012M1HXKSA1 nach Preis ab 104.68 EUR bis 140.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IMYH200R012M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package |
auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMYH200R012M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 552W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm |
auf Bestellung 665 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMYH200R012M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
auf Bestellung 1174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 140.5 EUR |
| 10+ | 118.68 EUR |
| 100+ | 104.68 EUR |
| IMYH200R012M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 552W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
Description: INFINEON - IMYH200R012M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
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