IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 576W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMYH200R024M1HXKSA1 nach Preis ab 53.49 EUR bis 114.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMYH200R024M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 18 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 576W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 24mA |
auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||
 |
IMYH200R024M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 576W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IMYH200R024M1HXKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 24mA
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 24mA
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 83.4 EUR |
| 30+ | 55.99 EUR |
| 120+ | 53.49 EUR |
| IMYH200R024M1HXKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 576W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 114.45 EUR |
| 5+ | 104.67 EUR |
| 10+ | 95.15 EUR |