IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 576W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 24mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 18 V
auf Bestellung 242 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 80.50 EUR |
| 30+ | 59.06 EUR |
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Technische Details IMYH200R024M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 576W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMYH200R024M1HXKSA1 nach Preis ab 113.84 EUR bis 137.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IMYH200R024M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 375-379 Tag (e) |
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IMYH200R024M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R024M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 576W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |