IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesSiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 36.63 EUR |
| 10+ | 34.95 EUR |
| 25+ | 29.04 EUR |
| 50+ | 29.02 EUR |
| 100+ | 22.90 EUR |
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Technische Details IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 267W, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IMYH200R075M1HXKSA1 nach Preis ab 22.23 EUR bis 36.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMYH200R075M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 7.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V |
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IMYH200R075M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IMYH200R075M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide MOSFET |
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