IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 34.87 EUR |
| 10+ | 21.91 EUR |
| 100+ | 21.11 EUR |
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Technische Details IMYH200R075M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 267W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm.
Weitere Produktangebote IMYH200R075M1HXKSA1 nach Preis ab 20.61 EUR bis 48.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IMYH200R075M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13A, 18V Power Dissipation (Max): 267W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 7.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V |
auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMYH200R075M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 267W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm |
auf Bestellung 524 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMYH200R075M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
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Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 13A, 18V
Power Dissipation (Max): 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 7.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U04
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 18 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 39.1 EUR |
| 30+ | 24.55 EUR |
| 60+ | 22.82 EUR |
| 120+ | 21.37 EUR |
| 510+ | 20.61 EUR |
| IMYH200R075M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
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Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
Description: INFINEON - IMYH200R075M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 34 A, 2 kV, 0.098 ohm, TO-247 Plus
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Produktpalette: CoolSiC Series
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| 6+ | 48.78 EUR |
| 7+ | 36.41 EUR |
| 10+ | 25.38 EUR |
| 50+ | 24.87 EUR |
| 100+ | 24.37 EUR |
| 250+ | 23.86 EUR |