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IMZ120R045M1XKSA1

IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

infineon-imz120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
FET Feature: Current Sensing
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
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IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMZ120R045M1_DataSheet_v02_06_EN-3362151.pdf MOSFET SIC DISCRETE
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IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 Hersteller : INFINEON 2853079.pdf Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IMZ120R045M1XKSA1 IMZ120R045M1XKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imz120r045m1-datasheet-v02_06-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Tube
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IMZ120R045M1XKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R045M1-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46269bda8df0169de350d7b3a3e IMZ120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
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