IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 17.4 EUR |
| 11+ | 16.8 EUR |
| 50+ | 16.42 EUR |
| 100+ | 16.04 EUR |
| 200+ | 14.52 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMZ120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IMZ120R045M1XKSA1 nach Preis ab 15.08 EUR bis 38.08 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +20V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Power Dissipation (Max): 228W (Tc) FET Feature: Current Sensing Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) |
auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IMZ120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
FET Feature: Current Sensing
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.61 EUR |
| 30+ | 17.52 EUR |
| 120+ | 15.08 EUR |
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IMZ120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 36.94 EUR |
| 8+ | 30.42 EUR |
| 10+ | 24.48 EUR |
| IMZ120R045M1XKSA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET SIC DISCRETE
MOSFET SIC DISCRETE
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 38.08 EUR |
| 10+ | 33.84 EUR |
| 25+ | 31.52 EUR |
| 50+ | 29.62 EUR |
| 100+ | 28.66 EUR |
| 240+ | 27.94 EUR |
| 480+ | 25.41 EUR |