
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 800 V
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
2+ | 14.03 EUR |
30+ | 8.25 EUR |
120+ | 6.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZ120R090M1HXKSA1 nach Preis ab 8.61 EUR bis 14.50 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 328 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
IMZ120R090M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |