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Technische Details IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IMZ120R140M1HXKSA1 nach Preis ab 13.18 EUR bis 17.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.5mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 800 V |
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IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Silicon Carbide Power Mosfet |
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| IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IMZ120R140M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 13A; Idm: 32A; 47W Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 265mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47W Polarisation: unipolar Case: TO247-4 Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...23V Pulsed drain current: 32A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 13A |
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