IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 26+ | 6.76 EUR |
| 28+ | 6.25 EUR |
| 50+ | 5.95 EUR |
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Technische Details IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85411000, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZ120R350M1HXKSA1 nach Preis ab 4.51 EUR bis 13.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package |
auf Bestellung 352 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +23V, -7V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO247-4-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube |
auf Bestellung 1184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 15360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZ120R350M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
auf Bestellung 352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.03 EUR |
| 10+ | 6.12 EUR |
| 100+ | 5.37 EUR |
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Description: SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 182 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-4-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
auf Bestellung 1184 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.04 EUR |
| 30+ | 6.28 EUR |
| 120+ | 5.24 EUR |
| 510+ | 4.51 EUR |
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 240+ | 11.13 EUR |
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.67 EUR |
| 15+ | 11.47 EUR |
| 100+ | 10 EUR |
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 4.7A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 12.67 EUR |
| 15+ | 11.72 EUR |
| 100+ | 10.38 EUR |
| IMZ120R350M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IMZ120R350M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 13.09 EUR |
| 22+ | 10.77 EUR |