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Technische Details IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IMZA120R020M1HXKSA1 nach Preis ab 39.07 EUR bis 50.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: SIC DISCRETEPackaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 nF @ 25 V |
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IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 71A; Idm: 213A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 71A Pulsed drain current: 213A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -7...20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
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