IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.9mOhm @ 41A, 18V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 17.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 800 V
auf Bestellung 310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 35.64 EUR |
| 30+ | 22.56 EUR |
| 120+ | 21.25 EUR |
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Technische Details IMZA120R020M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZA120R020M1HXKSA1 nach Preis ab 28.99 EUR bis 43.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET SIC DISCRETE |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R020M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Produktreihe CoolSiC Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 98A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IMZA120R020M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZA120R020M1H THT N channel transistors |
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