IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesMOSFETs CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 24.46 EUR |
| 10+ | 21.56 EUR |
| 100+ | 18.64 EUR |
| 240+ | 18.04 EUR |
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Technische Details IMZA120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IMZA120R030M1HXKSA1 nach Preis ab 16.17 EUR bis 24.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IMZA120R030M1HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: SIC DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.9mOhm @ 25.6A, 18V Power Dissipation (Max): 273W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 11mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2160 pF @ 800 V |
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IMZA120R030M1HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA120R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.0409 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 273W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0409ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |