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IMZA65R030M1HXKSA1

IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r030m1hdatasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Weitere Produktangebote IMZA65R030M1HXKSA1 nach Preis ab 13.04 EUR bis 31.02 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r030m1hdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R030M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 INFINEON 3629238.pdf Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
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Dauer-Drainstrom Id: 53A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
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IMZA65R030M1HXKSA1 IMZA65R030M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R030M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e501786e0337d93c59 Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 29.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 8.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +20V, -2V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IMZA65R030M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247
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Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Packaging: Tube
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1643 pF @ 400 V
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