IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 194W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote IMZA65R033M2HXKSA1 nach Preis ab 16.67 EUR bis 16.67 EUR
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IMZA65R033M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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IMZA65R033M2HXKSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R033M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 194W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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IMZA65R033M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 53A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IMZA65R033M2HXKSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 |
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