IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
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Technische Details IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.
Weitere Produktangebote IMZA65R048M1HXKSA1 nach Preis ab 9.94 EUR bis 24.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA Supplier Device Package: PG-TO247-4-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 313 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC M1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IMZA65R048M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 170 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 10.81 EUR |
| 100+ | 10.13 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.77 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.77 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1118 pF @ 400 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 19.73 EUR |
| 30+ | 11.7 EUR |
| 60+ | 10.73 EUR |
| 120+ | 9.94 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 20.21 EUR |
| 10+ | 12.88 EUR |
| 100+ | 11.08 EUR |
| 480+ | 9.97 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
auf Bestellung 52 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.61 EUR |
| 12+ | 19.52 EUR |
| 15+ | 14.91 EUR |
| 50+ | 13.66 EUR |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
auf Bestellung 162 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 170 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)