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IMZA65R048M1HXKSA1

IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies

infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies infineonimza65r048m1hdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_02-EN.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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IMZA65R048M1HXKSA1 IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON 3049637.pdf Description: INFINEON - IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
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Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
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