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IMZA65R050M2HXKSA1

IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

infineon-imza65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 240 Stücke:
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Technische Details IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 153W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IMZA65R050M2HXKSA1 nach Preis ab 7.28 EUR bis 20.49 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imza65r050m2h-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imza65r050m2h-datasheet-en.pdf Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.8 EUR
30+8.63 EUR
120+7.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IMZA65R050M2H_DataSheet_v01_00_EN-3421145.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 816 Stücke:
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1+15.76 EUR
10+13.4 EUR
25+9.73 EUR
100+9.26 EUR
240+9.23 EUR
1200+8.88 EUR
2640+8.85 EUR
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IMZA65R050M2HXKSA1 IMZA65R050M2HXKSA1 INFINEON 4159874.pdf Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 108 Stücke:
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13+20.49 EUR
15+16.29 EUR
18+12.48 EUR
50+11.76 EUR
100+11.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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Description: SILICON CARBIDE MOSFET
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
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Description: INFINEON - IMZA65R050M2HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 153W
Bauform - Transistor: TO-247
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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15+16.29 EUR
18+12.48 EUR
50+11.76 EUR
100+11.03 EUR
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