Technische Details IMZA65R057M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 133W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm.
Weitere Produktangebote IMZA65R057M1HXKSA1 nach Preis ab 7.64 EUR bis 21.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
 SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET |
auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R057M1HXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247 tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 133W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IMZA65R057M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.23 EUR |
| 10+ | 8.51 EUR |
| 100+ | 7.98 EUR |
| 480+ | 7.64 EUR |
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 13.48 EUR |
| 14+ | 13.15 EUR |
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 17.77 EUR |
| 25+ | 16.71 EUR |
| 50+ | 15.68 EUR |
| 100+ | 14.79 EUR |
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
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isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
Description: INFINEON - IMZA65R057M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 21.69 EUR |
| 15+ | 16.22 EUR |
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IMZA65R057M1HXKSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 35A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)