Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IMZA65R072M1HXKSA1
IMZA65R072M1HXKSA1

IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
27+5.44 EUR
29+4.79 EUR
Mindestbestellmenge: 27
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC M1, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote IMZA65R072M1HXKSA1 nach Preis ab 4.87 EUR bis 12.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
240+5.51 EUR
480+5.06 EUR
1200+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
240+5.51 EUR
480+5.06 EUR
1200+4.87 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 3120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
240+6.54 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
83+6.69 EUR
100+6.13 EUR
Mindestbestellmenge: 83
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
18+7.94 EUR
50+7.59 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+8.94 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Description: MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 13.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 400 V
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+12.64 EUR
30+7.28 EUR
120+6.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : INFINEON Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Description: INFINEON - IMZA65R072M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 28 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC M1
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.072ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-imza65r072m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 28A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonimza65r072m1hdatasheetv0203en.pdf CoolSiC™ MOSFET 650V – SiC MOSFET delivering reliable and cost-effective performance in TO247 3–pin package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IMZA65R072M1H_DataSheet_v02_00_EN-1840525.pdf SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IMZA65R072M1HXKSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85e97cf305b9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH